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  • 型号: 5HN01S-TL-E
  • 制造商: SANYO Semiconductor Company
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供5HN01S-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5HN01S-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor Company5HN01S-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载5HN01S-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有5HN01S-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

5HN01S-TL-E 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道双通道MOSFET阵列,采用SOP-8封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值约0.12Ω @ Vgs=4.5V)、低阈值电压(Vth约0.5–1.1V)及高开关速度等特点。其典型应用场景包括:

1. 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表中的LED背光驱动、摄像头闪光灯控制或USB Type-C接口的负载开关,利用其双通道结构实现多路独立控制与小型化设计。

2. DC-DC转换器辅助开关:在同步降压/升压电路中用作次级侧同步整流开关或栅极驱动缓冲器,提升转换效率并减小发热。

3. 电机驱动与负载切换:适用于微型振动马达、小功率步进/直流电机的H桥驱动(需搭配外部逻辑),或IoT设备中继电器替代方案,实现低功耗、无触点通断控制。

4. 电池保护与充放电管理:集成于锂电池保护板中,用于过流/短路保护的主控开关或充放电路径隔离(配合保护IC使用)。

5. 工业与消费类信号切换:如传感器信号路径选择、I²C/SPI总线电平转换/热插拔保护等,受益于其低输入电容与快速响应特性。

该器件工作温度范围为−55°C至+150°C,符合AEC-Q101车规级可靠性标准(部分批次),亦可用于车载信息娱乐系统中的非安全关键负载控制。注意:实际应用中需合理设计PCB散热与栅极驱动,避免米勒效应导致误开通。
产品参数 图文手册 常见问题
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