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  • 型号: 3LP03M-TL-E
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3LP03M-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3LP03M-TL-E价格参考。ON Semiconductor3LP03M-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3LP03M-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3LP03M-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3LP03M-TL-E 是一款由 ROHM(罗姆)生产的 P 沟道增强型 MOSFET,采用小型表面贴装封装(如 TSMT3),具有低导通电阻(Rds(on) ≈ 45 mΩ @ Vgs = –4.5V)、低阈值电压(Vth ≈ –0.9 V)及快速开关特性。其典型应用场景包括:

1. 便携式电子设备电源管理:用于智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路,实现低功耗启停控制与反向电流阻断。

2. DC-DC 转换器同步整流:在降压(Buck)转换器的高边或低边配置中,配合控制器提升效率,尤其适用于 3–5 V 输入的微型电源模块。

3. LED 驱动与背光控制:作为恒流驱动的开关元件,用于小型 LCD 屏幕或指示灯的 PWM 调光,响应快、发热低。

4. 电机驱动(微型负载):适用于振动马达、小风扇等低功率直流电机的正/反转或使能控制(常与 N-MOSFET 搭配构成 H 桥)。

5. 接口电平切换与信号门控:在 MCU I/O 口驱动能力不足时,用作逻辑电平转换或外设供电使能(Enable)开关。

该器件强调高可靠性、小尺寸与低静态电流,适合空间受限、对能效和待机功耗敏感的应用。注意其最大漏源电压为 –30 V,连续漏极电流为 –3.5 A(Tc=25℃),设计时需结合散热条件合理降额使用。
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