Datasheet下载- 型号： 3EZ91D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ91D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ91D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ91D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ91D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ91D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ91D10E3/TR12是一款91V、1W额定功率的单齐纳二极管，采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或传感器供电中，为ADC参考源、运算放大器偏置或微控制器复位电路提供稳定91V基准电压（需配合限流电阻使用）。 2. 过压保护（OVP）：串联于电源输入端或并联于敏感负载（如继电器线圈、MOSFET栅极），当瞬态电压超过91V时导通钳位，配合TVS或保险丝实现二级防护。 3. 浪涌吸收与箝位：在电感负载（如电机、电磁阀）关断时，吸收反向电动势，防止电压尖峰损坏驱动器件（如BJT或MOSFET）。 4. 工业与通信设备：适用于PLC模块、工业电源、电信接口（如RS-485收发器供电侧）、LED驱动恒压反馈环路等对中高压稳压有需求的场景。 注意：该器件为玻璃钝化齐纳二极管，具备较好温度稳定性与可靠性，但不适用于大电流或高频动态稳压；实际应用中需严格计算功耗（P = Vz × Iz），确保不超过1W额定值，并考虑散热条件。建议参考Microchip官方数据手册确认最大齐纳电流、动态阻抗及温度系数参数。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 91V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ91D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 69.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 91V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 115 欧姆 |
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