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  • 型号: 3EZ9.1DE3/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ9.1DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ9.1DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ9.1DE3/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ9.1DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ9.1DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ9.1DE3/TR8是一款9.1V、3W通孔式齐纳二极管,采用DO-41封装,具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括:

1. 稳压与基准电压源:在低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路)中提供稳定9.1V基准电压;  
2. 过压保护(OVP):与可控硅(SCR)或晶闸管配合构成“撬棍”(crowbar)保护电路,在电源异常升压时触发短路保护,防止后级器件损坏;  
3. 电压钳位与箝位电路:用于限制信号线或I/O端口的瞬态电压(如ESD或感应浪涌),保护MCU、FPGA等敏感接口;  
4. 简易线性稳压器辅助元件:在小电流、低成本场合替代三端稳压器,为偏置电路、LED驱动恒流源或运放供电提供稳定偏置;  
5. 工业与通信设备:广泛应用于工业控制模块、光模块供电管理、电信电源次级反馈环路及老式AC/DC适配器中,满足MIL-STD-19500/202(JANTXV级)可靠性要求(该型号符合JEDEC ESD等级Class 3B,HBM ≥8kV)。

注意:因属3W高功率齐纳,需确保PCB具备足够铜箔散热面积,避免长期满载导致热失效。TR8表示卷带包装,适用于自动贴装(但DO-41为轴向通孔,实际多为手工或波峰焊)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 9.1V 20% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ9.1DE3/TR8

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

3µA @ 7V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±20%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

9.1V

阻抗(最大值)(Zzt)

2.5 欧姆

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