Datasheet下载- 型号： 3EZ9.1D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ9.1D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ9.1D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ9.1D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ9.1D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ9.1D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ9.1D2/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为 9.1 V，功率为 3 W，采用 DO-41 塑封直插封装，TR12 表示卷带包装（适用于自动贴片）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路、传感器供电或ADC参考源中，提供稳定、低噪声的9.1 V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，用于电源输入端钳位瞬态过压（如ESD或浪涌），保护后级IC； 3. 电源反馈环路：在简易线性稳压器（如78xx系列辅助电路）或开关电源的光耦反馈侧，作为误差检测/基准元件； 4. 电平转换与箝位：在信号调理电路中限制信号摆幅（如将±12 V信号箝位至0–9.1 V范围），防止输入过载； 5. 工业与通信设备：广泛用于PLC模块、仪表电源、基站电源管理等对可靠性要求较高的场景，得益于Microsemi器件的宽温（-65°C ~ +175°C）、高ESD耐受（>8 kV HBM）及长期稳定性优势。 注意：该器件为通用型齐纳，非精密基准（容差典型±5%），不适用于高精度基准需求；设计时需确保功耗不超过3 W，并合理计算散热与动态阻抗影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 9.1V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ9.1D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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