Datasheet下载- 型号： 3EZ9.1D10/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ9.1D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ9.1D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ9.1D10/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ9.1D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ9.1D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ9.1D10/TR8 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为 9.1 V，额定功率为 3 W（TO-204AA/DO-41 封装），容差通常为 ±5%，典型动态电阻低，具有良好的温度稳定性和瞬态响应特性。 其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压电路：用于低压电源的简单并联稳压，如为传感器、运放或MCU的参考电压电路提供稳定9.1 V基准； 2. 过压保护与钳位：在信号线或电源输入端用作ESD/浪涌钳位器件，将瞬态电压限制在9.1 V左右，保护后级敏感IC； 3. 电源反馈环路：在离线式AC-DC适配器或DC-DC转换器中，配合光耦构成初级侧稳压反馈（尤其在低成本小功率方案中）； 4. 工业控制与仪表：在PLC模块、变送器、数据采集系统中，用于模拟信号调理电路的限幅或偏置设置； 5. 消费电子与通信设备：如机顶盒、路由器电源管理单元中，实现低成本、高可靠性的局部稳压或电压监测阈值设定。 该器件具备优良的长期稳定性与批次一致性，适用于对成本敏感且需中等功率稳压能力的工业及通用电子场景。注意：实际应用中需合理计算功耗、散热及串联限流电阻，避免超温失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 9.1V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ9.1D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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