Datasheet下载- 型号： 3EZ9.1D/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ9.1D/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ9.1D/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ9.1D/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ9.1D/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ9.1D/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ9.1D/TR8是一款9.1V、3W功率的玻璃钝化齐纳二极管，采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为运算放大器、ADC/DAC或传感器电路提供稳定9.1V参考电压；亦可用于简单线性稳压器的基准端。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，钳位瞬态浪涌（如ESD、EFT），保护后级敏感IC（如MCU I/O口、通信接口）免受9.1V以上电压损伤。 3. 信号电平箝位：在模拟前端或音频电路中，将交流信号峰值限制在±9.1V范围内，防止运放饱和或ADC超量程。 4. 电源轨监控与反馈：用于开关电源（如反激式）的辅助绕组电压采样反馈回路，提升输出精度与稳定性。 5. 工业与汽车电子辅助电路：适用于12V系统中的局部稳压（如CAN收发器供电）、传感器偏置、或LED恒流驱动中的基准设定（需配合限流电阻）。 该器件具备良好的温度稳定性（TC ≈ ±0.07%/°C）、低动态阻抗（Zzt ≈ 6Ω）及高可靠性，适合工业级（–65°C 至 +175°C）应用。注意：实际使用时需确保功耗不超过3W（需合理计算平均功耗并考虑散热），且建议加限流电阻以避免过流损坏。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 9.1V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ9.1D/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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