Datasheet下载- 型号： 3EZ8.2DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ8.2DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ8.2DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ8.2DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ8.2DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ8.2DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ8.2DE3/TR12是一款8.2V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（E3后缀代表符合JEDEC规范及无卤素/绿色工艺，TR12表示卷带包装）。 其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低压电源电路中为ADC参考源、传感器供电或运放偏置提供稳定8.2V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，钳位敏感IC（如MCU、通信接口）输入端电压，防止瞬态过压损坏； 3. 浪涌抑制与箝位：用于工业控制板、电机驱动器或电源适配器中，吸收开关噪声或感应电压尖峰； 4. 汽车电子：因通过AEC-Q101认证，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动等对可靠性和温度范围（-65°C~+175°C）要求严苛的场景； 5. 消费与工业电源：在AC-DC辅助电源、待机电源或DC-DC反馈环路中实现简单低成本稳压。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性（典型TCVz约±0.06%/°C）及高浪涌承受能力（8.3ms单脉冲达50A），适合空间受限且需兼顾性能与鲁棒性的中功率应用。注意设计时需确保功耗不超过3W，并合理布局散热路径。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 8.2V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ8.2DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 8.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.3 欧姆 |
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