Datasheet下载- 型号： 3EZ8.2D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ8.2D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ8.2D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ8.2D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ8.2D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ8.2D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ8.2D5E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）推出的 8.2V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差（即标称稳压值8.2V，实际范围约7.79–8.61V）和低动态阻抗特性。 其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低压电源中为模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）提供稳定基准电压； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，用于IC输入端的钳位保护，防止瞬态过压损坏敏感器件； 3. 电源反馈环路：在小功率开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈路径中，辅助设定输出电压精度； 4. 工业控制与通信设备：适用于需可靠稳压的PLC模块、RS-485收发器供电轨、嵌入式系统LDO后级二次稳压等场景； 5. 汽车电子（AEC-Q200兼容版本需确认）：部分衍生型号可用于车载信息娱乐系统中的非安全关键稳压环节（注：该型号本身为通用工业级，车规应用需核实具体批次认证）。 优势在于高功率密度（3W）、良好温度稳定性及成熟可靠性，适合空间受限且需中等功耗稳压的中低端应用。注意使用时需确保散热设计（如PCB铜箔面积）满足功率耗散要求，并建议串联限流电阻以避免过流失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 8.2V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ8.2D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 8.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.3 欧姆 |
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