Datasheet下载- 型号： 3EZ8.2D5/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ8.2D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ8.2D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ8.2D5/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ8.2D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ8.2D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ8.2D5/TR12是一款8.2V、5%容差、3W功率的齐纳二极管，采用DO-41封装，卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低精度电源中为模拟电路（如传感器接口、ADC参考源）提供稳定8.2V基准电压；常用于线性稳压器的误差放大器偏置或反馈网络。 2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成“撬棍电路”（Crowbar），当输入电压异常升高至约8.2V时触发保护，快速短路电源以保护后级敏感器件。 3. 浪涌/ESD钳位：在信号线或电源入口处并联使用，将瞬态电压钳位于8.2V附近，抑制静电放电（ESD）或感应浪涌（需配合限流电阻）。 4. 波形整形与限幅：在音频、通信前端电路中用作信号限幅器，防止运放饱和或ADC过载。 5. 工业与嵌入式系统：适用于工控PLC模块、仪器仪表、电源适配器及汽车电子（非安全关键部位）等对成本和可靠性有要求、但无需高精度或高频率响应的场合。 注意：该器件为通用型齐纳管，不适用于高精度（如<1%）、低温漂或高频动态稳压场景；实际应用中需确保功耗≤3W，并合理设计散热与限流。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 8.2V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ8.2D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 8.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.3 欧姆 |
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