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  • 型号: 3EZ75DE3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ75DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ75DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ75DE3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ75DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ75DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ75DE3/TR12是一款75V、3W表面贴装齐纳二极管(单管),采用DO-41封装(TR12为编带卷盘包装)。其典型应用场景包括:

1. 电压基准与稳压:在低功耗电源电路中为模拟电路(如ADC参考源、传感器供电)提供稳定75V基准电压,适用于对精度要求适中、成本敏感的工业控制板。

2. 过压保护(OVP):与TVS或串联限流电阻配合,用于保护后级电路免受瞬态高压冲击(如继电器开关感应尖峰、雷击耦合浪涌),常用于工业PLC输入模块、电机驱动控制板。

3. 浪涌钳位与箝位电路:在开关电源反馈环路或信号调理电路中,限制异常电压幅值,防止运放、MCU I/O口等器件损坏。

4. LED驱动恒流辅助:在简易线性LED驱动方案中,与电流检测电阻配合实现电压箝位,间接稳定输出电流。

该器件具有±5%标称电压容差、低动态阻抗(约200Ω @ 25mA)、良好温度稳定性(TC ≈ +0.06%/°C),但不适用于高精度或高频场合。需注意其3W功率需配合适当PCB铜箔散热;DO-41封装支持通孔焊接,TR12卷带便于自动化贴片生产。实际应用中应结合IEC 61000-4-5等标准进行浪涌防护设计,并预留足够降额余量(建议长期工作功率≤2W)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 75V 20% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ75DE3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 56V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±20%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

75V

阻抗(最大值)(Zzt)

85 欧姆

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