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产品简介:
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Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)的3EZ75D5E3/TR8是一款75V、1.3W通孔式齐纳二极管,采用DO-41封装,具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源)中提供稳定75V基准电压; 2. 过压保护:与TVS或限流电阻配合,用于电源输入端或敏感IC接口(如工业PLC、通信模块)的瞬态电压钳位,防止浪涌损坏; 3. 电源反馈环路:在离线式开关电源(如AC-DC适配器、LED驱动器)的光耦反馈电路中,辅助设定输出电压精度; 4. 浪涌吸收:在继电器线圈、电机绕组等感性负载关断时,吸收反向电动势,抑制尖峰电压; 5. 测试与校准设备:作为便携式仪器中的可调稳压节点,满足中高压段校准需求。 该器件适用于工业控制、通信电源、仪器仪表及汽车电子(非安全关键系统)等对可靠性要求较高的场景,但需注意其功率限制(1.3W),设计时应确保散热充分并留有足够裕量。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 75V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ75D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 56V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 75V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 85 欧姆 |