Datasheet下载- 型号： 3EZ75D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ75D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ75D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ75D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ75D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ75D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ75D10E3/TR12是一款75V、1W额定功率的齐纳二极管，采用DO-41封装，具有±10%电压容差（即标称75V，实际稳压范围约67.5V–82.5V），带AEC-Q200兼容选项（E3后缀表明符合J-STD-020无铅回流焊标准，TR12为卷带包装）。 其典型应用场景包括： 1. 电源电压基准与稳压：在中低功耗线性稳压电路中，为运算放大器、ADC/DAC或传感器提供稳定参考电压； 2. 过压保护（OVP）：与晶闸管（SCR）或MOSFET配合构成撬棍（crowbar）电路，在输入电压异常升高时触发短路保护，防止后级器件损坏； 3. 浪涌钳位：在工业控制、通信接口（如RS-485总线）或电源输入端，限制瞬态高压（如ESD、EFT），保护敏感IC； 4. 反馈环路补偿：在开关电源（如反激式）的光耦反馈侧，辅助设定输出电压阈值或实现过压锁定（OVL）功能； 5. 汽车电子辅助应用：因E3后缀支持无铅回流焊及一定可靠性等级，可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等非安全关键的稳压/检测节点（但需注意该器件非AEC-Q101认证，不可用于ASIL-B及以上安全功能）。 注：该器件不适用于高精度基准（温漂大、动态阻抗较高），也不建议用于大电流稳压场合（1W功耗限制）。设计时应充分考虑功耗降额、散热及温度系数影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 75V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ75D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 56V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 75V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 85 欧姆 |
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