Datasheet下载- 型号： 3EZ75D10/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ75D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ75D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ75D10/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ75D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ75D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ75D10/TR8是一款75V、1W表面贴装齐纳二极管（DO-41封装，卷带包装），具有±10%电压容差（标称Vz=75V）。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与稳压：用于电源输入端或敏感电路前级，钳位瞬态高压（如雷击感应、开关噪声），防止后级IC或传感器损坏；也可在低功耗电路中提供基准电压（需配合限流电阻）。 2. 电压参考与检测：在电池管理系统（BMS）、工业传感器接口或简易ADC参考电路中，作为低成本、中精度（±10%）的电压阈值设定元件，例如触发过压告警或切换保护逻辑。 3. 浪涌抑制与箝位：常与TVS或RC网络配合，吸收电感负载关断时产生的反向电动势（如继电器线圈、电机驱动），提升系统可靠性。 4. 消费电子与工业控制：适用于对成本敏感、温度要求不苛刻（工作结温-65℃~+175℃）的中低端设备，如LED驱动恒压反馈、家电电源辅助供电稳压、PLC输入信号调理等。 注：因±10%容差及1W功率限制，该器件不适用于高精度基准或大电流稳压场合，设计时需确保功耗不超过额定值，并考虑散热。替代型号建议关注Microchip当前推荐的Zener系列（如MM3Z75V）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 75V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ75D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 56V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 75V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 85 欧姆 |
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