Datasheet下载- 型号： 3EZ7.5D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ7.5D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ7.5D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ7.5D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ7.5D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ7.5D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ7.5D10E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 7.5V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AA（SMB）封装，具有±5%电压容差、低动态阻抗和优良的温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低压模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定7.5V基准电压； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，钳位电源线或I/O端口瞬态电压（如ESD、浪涌），防止后级IC损坏； 3. 电源稳压辅助：在低成本线性稳压器（如78L05）前级或反馈回路中作精密分压/箝位，提升输出精度与负载调整率； 4. 工业控制与通信设备：用于PLC模块、RS-485收发器供电轨保护、光耦隔离电源稳压等对可靠性要求较高的场合； 5. 汽车电子（AEC-Q200兼容版本适用）：在车载信息娱乐系统或车身控制单元中提供非安全关键型电压箝位功能（需确认具体批次是否通过AEC认证）。 该器件具备高功率密度（3W）、优异的长期稳定性及宽工作温度范围（−65°C 至 +175°C），适合空间受限且需耐高温的工业与嵌入式环境。注意：TR8表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 7.5V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ7.5D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 5V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 7.5V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
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