Datasheet下载- 型号： 3EZ68DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ68DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ68DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ68DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ68DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ68DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ68DE3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的一款齐纳二极管，标称稳压值为68V，额定功率为3W，采用DO-41封装，带卷带包装（TR8表示编带盘装）。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与电压钳位：在电源输入端或敏感电路前级，用作瞬态电压抑制辅助器件，配合TVS或MOV限制异常高压（如雷击、开关浪涌），防止后级元件损坏。 2. 基准电压源：在中低精度要求的模拟电路（如简易稳压电源、传感器偏置电路、比较器参考源）中，提供稳定的68V基准电压，适用于对温漂和长期稳定性要求不苛刻的场合。 3. 反馈环路稳压：在离线式AC-DC适配器或工业电源的次级侧反馈电路中，与光耦配合实现初级侧PWM控制，用于设定输出电压阈值。 4. 电平转换与箝位：在高压信号调理电路中，将波动信号箝位至68V，保护ADC输入或逻辑接口。 需注意：该器件为通用型齐纳管，未集成温度补偿，动态阻抗相对较高（典型值约200Ω），不适用于高精度、低温漂或高频动态负载场景；实际应用中建议留足功率裕量（如降额至2W使用），并注意散热设计。Microsemi已整合入Microchip，技术支持及替代型号可参考Microchip官网（如ZMM68系列兼容方案）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 68V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ68DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 51.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 68V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 70 欧姆 |
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