Datasheet下载- 型号： 3EZ68DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ68DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ68DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ68DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ68DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ68DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ68DE3/TR12是一款68V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在中低功率电源中为运算放大器、ADC/DAC或传感器电路提供稳定参考电压（如68V基准点），适用于工业控制、测试仪器等对精度要求适中的场合。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，用作次级保护器件，在电源输入端或敏感IC供电轨上钳位瞬态过压（如雷击感应、开关噪声），防止后级电路损坏。 3. 浪涌吸收与箝位：在继电器线圈、电机驱动或电感负载关断回路中，作为续流/箝位元件，抑制反向电动势尖峰（尤其适用于60–70V系统电压平台）。 4. LED驱动与恒流源辅助稳压：在高亮度LED串驱动电路中，用于设定电流检测基准或分压反馈网络，提升恒流稳定性。 需注意：该器件为通用型齐纳管，非高精度或低温漂型号，不适用于精密基准或高温严苛环境（最大结温150℃，但长期工作建议降额使用）。TR12表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。实际应用中应校核功耗（P=Vz×Iz）、散热条件及瞬态响应能力。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 68V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ68DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 51.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 68V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 70 欧姆 |
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