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- 型号： 3EZ68D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ68D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ68D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ68D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ68D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ68D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ68D5E3/TR12是一款68V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 过压保护：在电源输入端或敏感IC供电轨上用作钳位器件，防止瞬态高压（如ESD、浪涌）损坏后级电路； 2. 稳压参考源：为低压差稳压器（LDO）、ADC基准电路或比较器提供稳定、低成本的68V基准电压（需配合限流电阻使用）； 3. 电压箝位与箝位保护：在开关电源反馈环路、MOSFET栅极驱动保护、继电器线圈续流回路中限制反向尖峰电压； 4. 工业与通信设备：适用于工业控制模块、基站电源管理、PLC接口电路等对可靠性和温度稳定性（工作结温达175°C）要求较高的场景； 5. 替代传统插件式齐纳管：TR12卷带包装支持自动化贴片生产，适合高密度PCB设计。 注意：该器件额定功率为3W，实际应用中需根据功耗（P=Vz×Iz）合理设计散热及限流电阻，并确保瞬态能量不超过SOA范围。不推荐用于高频或大电流稳压主回路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 68V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ68D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 51.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 68V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 70 欧姆 |
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