Datasheet下载- 型号： 3EZ68D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ68D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ68D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ68D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ68D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ68D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ68D10E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下品牌）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为68V，额定功率3W（DO-41封装），容差±5%，典型动态阻抗低，具有良好的温度稳定性和长期可靠性。 其主要应用场景包括： - 过压保护与电压钳位：用于电源输入端或敏感电路前级，将瞬态高压（如ESD、浪涌）钳位于68V附近，保护后级IC或MOSFET等器件； - 基准电压源：在中精度模拟电路（如传感器调理电路、工业变送器）中提供稳定的68V参考点，配合分压电阻实现所需偏置； - 并联稳压电路：适用于小电流、低成本稳压需求场合（如辅助电源、待机电路），为微控制器复位电路或实时时钟（RTC）模块提供稳定偏置； - 浪涌抑制器组件：常与TVS或压敏电阻协同使用，构成多级防护，提升系统EMC性能（如工业PLC、通信接口模块）。 该器件采用轴向引线DO-41封装，适合通孔安装，具备较高浪涌承受能力（如40A@8.3ms），工作结温范围宽（-65℃~+175℃），适用于工业控制、电源适配器、汽车电子（非安全关键区域）及仪器仪表等对可靠性和耐候性要求较高的场景。需注意：实际应用中应校核功耗、散热条件及动态响应，避免持续工作于极限参数边缘。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 68V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ68D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 51.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 68V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 70 欧姆 |
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