Datasheet下载- 型号： 3EZ62D5/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ62D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ62D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ62D5/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ62D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ62D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ62D5/TR12是一款62V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-41封装（TR12表示编带卷装）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为ADC参考、传感器偏置或运放基准提供稳定62V齐纳电压，适用于对精度要求适中的场合（典型容差±5%）。 2. 过压保护（OVP）：常用于电源输入端或敏感电路前端，配合限流电阻构成简单钳位电路，防止瞬态高压（如ESD或浪涌）损坏后级器件。 3. 浪涌抑制与箝位：在工业控制、通信接口（如RS-485收发器供电侧）或LED驱动电路中，吸收反向感性负载关断时产生的尖峰电压。 4. 信号电平限制：在模拟信号链中限制信号幅值，防止ADC饱和或后级器件过压。 需注意：该器件为玻璃钝化结构，具备较好稳定性与可靠性，但非低温漂型号；最大功耗3W需合理设计散热（如PCB铜箔面积）；工作电流建议维持在5–100mA以兼顾稳压性能与温升。不适用于高精度、低温漂或高频动态稳压场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 62V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ62D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 47.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 62V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 55 欧姆 |
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![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/FP-301 1 1／2" WT 100'.jpg)
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