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产品简介:
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3EZ6.8D2E3/TR8 是 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology 旗下品牌)推出的单齐纳二极管,标称稳压值为6.8V,功率为3W,DO-41封装,带卷带包装(TR8),符合AEC-Q200等可靠性标准(具体需查证数据手册,但Microsemi同类器件常用于工业/汽车级应用)。 其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:为低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置)提供稳定6.8V基准电压; 2. 过压保护(OVP):与TVS或串联限流电阻配合,用于电源输入端的钳位保护,防止后级IC(如MCU、LDO)因瞬态过压损坏; 3. 浪涌抑制:在工业控制、通信设备或电源适配器中,作为简单可靠的箝位元件,吸收感应噪声或ESD脉冲; 4. 反馈回路补偿:在开关电源(如反激式变换器)的光耦反馈路径中,辅助设定误差放大器基准或实现输出电压微调; 5. 汽车电子辅助电路:适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中非主电源路径的稳压需求(需确认其AEC-Q200认证状态,部分批次满足车规要求)。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性及高可靠性,适合对成本敏感但需稳健性能的中低频稳压场合。注意设计时应预留足够散热余量,并校验实际功耗(P = Vz × Iz)不超过3W额定值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.8V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.8D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.8V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 2 欧姆 |