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  • 型号: 3EZ6.8D2E3/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.8D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.8D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.8D2E3/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ6.8D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ6.8D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ6.8D2E3/TR8 是 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology 旗下品牌)推出的单齐纳二极管,标称稳压值为6.8V,功率为3W,DO-41封装,带卷带包装(TR8),符合AEC-Q200等可靠性标准(具体需查证数据手册,但Microsemi同类器件常用于工业/汽车级应用)。

其典型应用场景包括:  
1. 电压基准与稳压:为低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置)提供稳定6.8V基准电压;  
2. 过压保护(OVP):与TVS或串联限流电阻配合,用于电源输入端的钳位保护,防止后级IC(如MCU、LDO)因瞬态过压损坏;  
3. 浪涌抑制:在工业控制、通信设备或电源适配器中,作为简单可靠的箝位元件,吸收感应噪声或ESD脉冲;  
4. 反馈回路补偿:在开关电源(如反激式变换器)的光耦反馈路径中,辅助设定误差放大器基准或实现输出电压微调;  
5. 汽车电子辅助电路:适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中非主电源路径的稳压需求(需确认其AEC-Q200认证状态,部分批次满足车规要求)。

该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性及高可靠性,适合对成本敏感但需稳健性能的中低频稳压场合。注意设计时应预留足够散热余量,并校验实际功耗(P = Vz × Iz)不超过3W额定值。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 6.8V 2% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ6.8D2E3/TR8

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

5µA @ 4V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±2%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

6.8V

阻抗(最大值)(Zzt)

2 欧姆

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