Datasheet下载- 型号： 3EZ6.8D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.8D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.8D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.8D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.8D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.8D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ6.8D2/TR8是一款6.8V、1W额定功率的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路）中提供稳定6.8V基准电压；适用于输入波动较小、电流需求不高的场合（最大测试电流IZT约100mA，典型工作电流5–20mA）。 2. 过压保护与钳位：与TVS或限流电阻配合，用于IC输入/输出端口的瞬态电压抑制（如微控制器GPIO保护、通信接口ESD防护），将异常电压钳位于≈6.8V，防止后级器件损坏。 3. 电源稳压辅助：在简单线性稳压器（如78L05前级）或分立稳压电路中作预稳压或误差检测元件；亦可用于LED恒流驱动中的电压设定点。 4. 工业与嵌入式系统：因Microsemi产品以高可靠性著称，该器件常见于工控模块、电力仪表、通信设备等对温度稳定性（齐纳电压温度系数约+2.5mV/°C）和长期可靠性有要求的场景。 注：该型号已停产（EOL），当前设计建议选用Microchip兼容替代型号（如MMBZ5236B或1N4735A系列）并重新验证参数。实际应用中需注意散热设计（1W功耗需适当PCB铜箔散热）及动态阻抗（Zzt≈5Ω）对精度的影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.8V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.8D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
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