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产品简介:
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Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)的3EZ6.8D10E3/TR12是一款6.8V、3W通孔式齐纳二极管,采用DO-41封装,具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置电路)中提供稳定基准电压; 2. 过压保护:与TVS或限流电阻配合,用于电源输入端或敏感IC引脚的钳位保护,防止瞬态过压损坏; 3. 电源稳压:在小电流、低成本线性稳压方案中(如辅助电源轨、待机电路),替代三端稳压器以简化设计; 4. 波形整形与限幅:在音频、通信接口(如RS-232电平转换)中实现信号削峰或电平箝位; 5. 工业与汽车电子:适用于宽温范围(-65°C ~ +175°C)、高可靠性要求的场景,如PLC模块、车载仪表电源监控等。 注意:该器件为通孔封装(TR12表示编带包装),适用于传统PCB组装;其3W功率需配合足够散热(如PCB铜箔面积)以保障长期可靠性。实际应用中应校验功耗、温度降额及浪涌耐受能力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.8V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.8D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.8V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 2 欧姆 |