Datasheet下载- 型号： 3EZ6.2DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.2DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.2DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.2DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.2DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.2DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ6.2DE3/TR8是一款6.2V、1W功率的玻璃钝化齐纳二极管，采用DO-41封装，符合AEC-Q200可靠性标准（部分批次），具有低动态阻抗、良好温度稳定性和高浪涌耐受能力。 其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为精密模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定的6.2V基准电压； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，用于电源输入端或I/O接口的钳位保护，防止瞬态高压损坏后级IC； 3. 电源反馈环路：在低成本线性稳压器（如LM78xx辅助稳压）或开关电源的光耦反馈电路中，作为误差检测基准； 4. 工业与汽车电子：因具备宽工作温度范围（–65°C 至 +175°C）及高可靠性，适用于车载ECU、电机驱动控制板、工业PLC模块等严苛环境； 5. 浪涌抑制与ESD防护：在RS-485/RS-232通信端口或继电器线圈续流回路中，吸收感应反电动势或静电放电能量。 该器件TR8表示卷带包装，便于自动化贴装，适合批量生产。需注意其功耗限制（1W），设计时应确保平均功耗不超过额定值，并合理降额使用以提升长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.2V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.2DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 3V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 1.5 欧姆 |
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