Datasheet下载- 型号： 3EZ6.2D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.2D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.2D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.2D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.2D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.2D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ6.2D10E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 6.2V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差、低动态阻抗和优良的温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定基准电压；在简单线性稳压器中用作误差检测或输出钳位元件。 2. 过压保护（OVP）：并联于敏感IC电源端（如MCU、运放），当瞬态电压超过6.2V时快速导通，配合限流电阻泄放能量，防止后级器件损坏。 3. ESD与浪涌钳位：在通信接口（如RS-232、CAN总线收发器输入端）中作为初级ESD防护器件，吸收IEC 61000-4-2接触放电（±8kV）等瞬态干扰。 4. 逻辑电平转换/箝位：用于5V/3.3V系统间信号接口，将高电平箝位至约6.2V，避免电压超标损坏低压器件。 5. 电源反馈环路：在隔离式DC-DC变换器（如反激拓扑）的光耦反馈路径中，辅助设定输出电压精度。 该器件适用于工业控制、汽车电子（非安全关键模块）、通信设备及消费类电源管理等对成本、尺寸和可靠性有要求的场景。注意：因额定功率为3W，需确保PCB散热设计合理，避免持续大电流导致热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.2V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.2D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 3V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 1.5 欧姆 |
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