Datasheet下载- 型号： 3EZ56DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ56DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ56DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ56DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ56DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ56DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ56DE3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为56V，额定功率3W（DO-41封装），采用卷带包装（TR8表示8mm编带）。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与钳位电路：在电源输入端或敏感IC接口处，用作瞬态电压抑制（TVS辅助或低成本替代），将异常高压钳位于56V附近，防止后级器件损坏。 2. 基准电压源：在对精度要求不高的中低频模拟电路（如简单稳压器、比较器参考端、传感器偏置电路）中，提供稳定56V基准，配合限流电阻使用。 3. 浪涌吸收与箝位：用于继电器线圈、感性负载关断时的反电动势吸收，或与RC网络配合实现缓冲保护。 4. 工业控制与电源系统：常见于AC/DC适配器、LED驱动电源、PLC模块等设备中的次级稳压/反馈环路或电压监测环节。 需注意：该器件为通用齐纳二极管，非高精度或低温漂型号，不适用于精密基准或高频动态场景；实际应用中须严格匹配限流电阻以保障功耗（≤3W）和长期可靠性。Microsemi版本强调高可靠性与宽温适应性（-65°C ~ +175°C），适合工业、通信及部分汽车电子（非安全关键）环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 56V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ56DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 42.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 56V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 50 欧姆 |
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