Datasheet下载- 型号： 3EZ56D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ56D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ56D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ56D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ56D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ56D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ56D5E3/TR12是一款56V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 稳压与基准电压源：在低压电源系统中为精密模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）提供稳定的56V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或TVS配合，构成浪涌/过压钳位电路，用于工业控制板、通信接口（如RS-485收发器供电端）的瞬态防护； 3. 电压箝位与限幅：在开关电源反馈环路或PWM驱动电路中，限制栅极/基极电压，防止MOSFET/IGBT误触发或击穿； 4. 浪涌吸收：在继电器线圈、电磁阀等感性负载关断时，吸收反向电动势，延长器件寿命； 5. 电池管理系统（BMS）：用于高压电池组（如48V系统）的分压检测或均衡电路中的电压箝位环节。 该器件具备良好的热稳定性与可靠性，适用于工业自动化、通信设备、电源适配器及汽车电子（非安全关键模块）等中高可靠性场景。需注意其功率限制（3W），设计时应确保散热充分，避免持续满载工作。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 56V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ56D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 42.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 56V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 50 欧姆 |
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