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产品简介:
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Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ56D5/TR8是一款56V、3W表面贴装齐纳二极管(DO-41封装,卷带包装),具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括: 1. 稳压与基准电压源:在低压电源电路中为模拟电路(如传感器接口、ADC参考源)提供稳定56V基准电压; 2. 过压保护(OVP):与可控硅(SCR)或晶闸管配合构成Crowbar保护电路,当输入电压异常升高至56V附近时触发短路保护,防止后级器件损坏; 3. 浪涌钳位:用于通信接口(如RS-485、工业总线)或电源输入端,吸收瞬态高压脉冲(如ESD、EFT),将电压钳位于56V安全水平; 4. 反馈环路补偿:在开关电源(SMPS)的光耦反馈网络中,辅助设定输出电压精度与稳定性; 5. 工业控制与仪器仪表:适用于需高可靠性稳压的工控模块、PLC输入/输出保护电路及测试设备中的电压箝位环节。 该器件具备良好的热稳定性与长期可靠性,适合工作温度范围-65℃~+175℃的严苛环境,常见于工业、通信及航空航天相关电源管理系统中。注意:实际应用中需配合限流电阻,并校核功耗与散热条件,避免持续超过3W额定功率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 56V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ56D5/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 42.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 56V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 50 欧姆 |