Datasheet下载- 型号： 3EZ56D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ56D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ56D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ56D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ56D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ56D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ56D2/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的一款单齐纳二极管，标称稳压值为56 V，额定功率为3 W（DO-41封装），具有±2%的电压容差（“D2”后缀表示该精度），并采用卷带包装（TR12）。 其典型应用场景包括： - 过压保护与钳位电路：在电源输入端或敏感IC接口处，用于吸收瞬态浪涌（如ESD、雷击感应脉冲），将电压钳位在56 V附近，防止后级器件损坏； - 基准电压源：在中低精度要求的模拟电路（如简易稳压器、比较器参考端）中提供稳定基准，适用于对温漂和长期稳定性要求不苛刻的工业控制板或辅助电源； - 浪涌抑制模块：常与TVS或MOV配合，作为二级精细钳位器件，提升系统EMC防护等级（如IEC 61000-4-5 浪涌测试）； - LED驱动/电源反馈环路：在离线式开关电源的光耦反馈或初级侧电压检测中，实现过压锁定（OVP）保护功能。 需注意：该器件为玻璃钝化结型齐纳，未集成温度补偿，故不适用于高精度或宽温（-55°C~+175°C）严苛场景；设计时应确保功耗不超过3 W，并留有足够散热裕量。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 56V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ56D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 42.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 56V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 50 欧姆 |
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