Datasheet下载- 型号： 3EZ56D10/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ56D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ56D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ56D10/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ56D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ56D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ56D10/TR8是一款56V、1W额定功率的齐纳二极管（单齐纳），采用DO-41塑料封装，±10%电压容差，TR8表示编带卷盘包装。 该器件主要应用于低功耗、中等精度的电压基准与稳压场景，典型用途包括： 1. 电源稳压：在小电流（≤15mA）线性稳压电路中作并联稳压器，为传感器、MCU复位电路或模拟前端提供稳定参考电压； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，钳位瞬态电压，保护后级敏感IC（如ADC输入、通信接口）免受ESD或浪涌损伤； 3. 电压检测与基准源：在电池管理、电源监控电路中作为简单可靠的阈值检测元件（如56V欠压/过压告警）； 4. 模拟电路偏置：为运算放大器、比较器等提供温度稳定性尚可（齐纳电压温度系数约+2.5mV/°C）的偏置点。 需注意：其功率仅1W，不适用于大电流稳压；长期工作建议降额至≤0.5W以提升可靠性；若需更高精度或低温漂，应选用带温度补偿的齐纳（如TL431）或专用电压基准芯片。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 56V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ56D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 42.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 56V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 50 欧姆 |
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