Datasheet下载- 型号： 3EZ56D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ56D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ56D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ56D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ56D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ56D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ56D/TR12是一款56V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 稳压与基准电压源：在低压电源系统中为运算放大器、ADC/DAC或传感器电路提供稳定的56V基准电压，适用于工业控制板、仪器仪表等对电压精度要求适中的场合。 2. 过压保护（OVP）：常用于开关电源、DC-DC转换器或电池管理系统（BMS）前端，与TVS或限流电阻配合，钳位瞬态过压（如雷击感应、开关浪涌），防止后级IC损坏。 3. 电压箝位与电平移位：在信号调理电路中限制模拟信号幅值（如传感器输出），或实现逻辑电平适配（如将高电压信号安全降至MCU可接受范围）。 4. 浪涌抑制与ESD防护辅助：虽非专用ESD器件，但可作为次级防护元件，吸收中小能量脉冲（IEC 61000-4-5 Level 2级以下），增强系统鲁棒性。 需注意：该器件额定功率3W，连续工作时须保证PCB散热设计（如敷铜面积≥25mm²），且不适用于高频或大电流动态箝位场景；替代选型建议考虑Microchip当前兼容型号（如MMSZ52xx系列升级方案）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 56V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ56D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 42.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 56V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 50 欧姆 |
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