Datasheet下载- 型号： 3EZ51D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ51D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ51D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ51D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ51D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ51D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ51D5E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的 51V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AA（SMB）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 稳压与基准电压源：在低压电源系统中为精密模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定的51V基准电压，适用于工业控制、测试仪器等对电压精度要求较高的场合。 2. 过压保护（OVP）：常用于电源输入端或敏感IC供电轨旁路，当瞬态电压超过51V时导通分流，配合限流电阻实现简单可靠的钳位保护，广泛应用于通信设备、工控模块及LED驱动电源中。 3. 浪涌抑制与ESD防护辅助：虽非专用TVS，但可与TVS或RC网络协同工作，在中小能量浪涌（如IEC 61000-4-4电快速脉冲群）下提供二级箝位，增强系统鲁棒性。 4. 反馈环路补偿：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈路径中，用作电压检测与误差放大参考点，提升输出稳压精度。 该器件具备良好的热稳定性与长期可靠性，适用于-65℃~+175℃宽温工业环境，但需注意功耗限制（最大3W），设计时应合理计算功耗并确保足够散热。不适用于高频或大电流动态箝位场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 51V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ51D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 38.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 51V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 48 欧姆 |
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