Datasheet下载- 型号： 3EZ51D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ51D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ51D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ51D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ51D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ51D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ51D2/TR12是一款51V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，具有±2%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 稳压与基准电压源：为精密模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源、运算放大器偏置电路）提供稳定51V基准电压，适用于工业控制、测试仪器等对电压精度要求较高的场合。 2. 过压保护（OVP）：在电源输入端或敏感IC供电路径中用作钳位器件，当瞬态电压超过51V时导通泄放能量，配合限流电阻保护后级MOSFET、DC-DC控制器或微控制器。 3. 浪涌抑制与ESD防护辅助：虽非专用TVS，但在低速、中小能量浪涌（如继电器开关感应尖峰、轻度EFT）中可协同TVS或压敏电阻实现多级防护。 4. 反馈环路电压箝位：用于开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈或TL431替代方案中，稳定误差放大器参考点或限制辅助绕组电压。 注意：该器件为通用齐纳二极管，不适用于高频或大电流瞬态场景；实际应用需严格匹配功耗（≤3W）、散热条件及串联限流电阻设计，并遵循Microchip官方数据手册参数（如IZT=20mA, ZZT≈70Ω）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 51V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ51D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 38.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 51V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 48 欧姆 |
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