Datasheet下载- 型号： 3EZ5.6D5/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.6D5/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.6D5/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.6D5/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ5.6D5/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ5.6D5/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ5.6D5/TR8是一款5.6V、3W通孔式齐纳二极管，采用DO-41封装，具有±5%电压容差（标称齐纳电压5.6V）和低动态阻抗特性。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）中提供稳定基准电压；适用于线性稳压器的误差放大器反馈网络或辅助偏置电源。 2. 过压保护与箝位：并联于敏感IC（如MCU I/O口、运放输入端）前，限制瞬态电压（如ESD、感应浪涌），将电压箝位在约5.6V，防止器件损坏。 3. 电源调节与分流稳压：在小电流（≤500mA）场合（如电池供电设备、待机电源）中构成简单分流稳压电路，配合限流电阻为基准电路或LED驱动提供稳定偏置。 4. 工业与通信设备：广泛用于PLC模块、RS-485接口保护电路、电信线路监控单元等对可靠性及温度稳定性（工作结温-65℃~+175℃）要求较高的场景。 注：TR8表示编带包装，适用于自动化贴装；虽为通孔器件，但常用于高可靠性板级设计。需注意其功率降额曲线，在高温环境下应降低功耗使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 5.6V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ5.6D5/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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