Datasheet下载- 型号： 3EZ5.6D5/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.6D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.6D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.6D5/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ5.6D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ5.6D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ5.6D5/TR12是一款5.6V、3W通孔式齐纳二极管，采用DO-41封装，具有±5%电压容差（标称齐纳电压5.6V）和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路）中提供稳定基准电压； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，用于保护后级IC（如MCU、运放）免受瞬态过压冲击； 3. 电源钳位：在开关电源反馈环路、LDO输入端或接口电路（如RS-232/485收发器）中钳位电压，防止超范围工作； 4. 浪涌抑制与ESD防护辅助：作为二级保护器件，吸收中小能量脉冲（如IEC 61000-4-5 Level 2浪涌）； 5. 工业与通信设备：适用于PLC模块、电表、基站电源管理等对温度稳定性（-65℃~+175℃结温）和长期可靠性要求较高的场景。 该器件具备良好的热稳定性和批量一致性，TR12表示编带包装，适合自动化贴装（需注意其为轴向引线DO-41，实际多用于通孔插件）。需搭配适当限流电阻使用，确保功耗不超过3W额定值，并考虑散热条件。不推荐用于高频或大电流动态稳压场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.6V 3W DO41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 3EZ5.6D5/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 供应商器件封装 | DO-41（DO-204AL） |
| 其它名称 | 3EZ5.6D5 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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