Datasheet下载- 型号： 3EZ5.6D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.6D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.6D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.6D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ5.6D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ5.6D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ5.6D2E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 5.6V、3W 表面贴装齐纳二极管（单管），采用 DO-214AA（SMB）封装，带卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为模拟电路（如ADC参考源、传感器供电、运放偏置）提供稳定5.6V基准电压，兼具良好温度系数（约±0.05%/°C）和低动态阻抗（≈7Ω），适合精度要求中等的场合。 2. 过压保护（OVP）与钳位：常用于IC输入/输出端口的瞬态电压抑制（TVS辅助或低成本替代），将异常电压钳位于5.6V附近，防止后级器件（如MCU GPIO、通信接口）因浪涌或反向电压损坏。 3. 电源反馈环路：在小功率开关电源（如AC-DC适配器、LED驱动）中，配合光耦构成次级侧电压反馈网络，提升输出电压精度与稳定性。 4. 浪涌吸收与箝位电路：在继电器线圈、电感负载关断时吸收反电动势，保护驱动晶体管；亦可用于RS-232、CAN总线等接口的静电（ESD）初级防护。 该器件具有3W额定功率、±5%电压容差（标称5.6V）、低漏电流（≤5μA @ 1V）及高可靠性，适用于工业控制、通信设备、医疗电子及汽车电子（非安全关键系统）等对成本、尺寸与鲁棒性有综合要求的应用。需注意散热设计以确保长期工作可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 5.6V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ5.6D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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