Datasheet下载- 型号： 3EZ5.6D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.6D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.6D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.6D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ5.6D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ5.6D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ5.6D10E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 5.6V、3W 表面贴装齐纳二极管，具有 ±5% 容差、低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： - 电压基准与稳压：在低压电源电路中为模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC 参考源）提供稳定基准电压；适用于线性稳压器的反馈分压网络或并联稳压单元。 - 过压保护与箝位：用于保护敏感IC引脚（如MCU I/O、通信接口），将瞬态电压箝位于约5.6V，配合限流电阻抑制ESD或浪涌。 - 电源监控与阈值检测：与比较器配合实现欠压/过压锁定（UVLO/OVLO）功能，保障系统上电时序与可靠性。 - 工业与通信设备：广泛应用于工业PLC模块、光模块供电管理、基站电源辅助电路等对可靠性及长期稳定性要求较高的场景。 该器件采用 DO-214AA（SMA）封装，具备优良热性能与抗浪涌能力（可承受单次 40A 浪涌电流），符合 AEC-Q200（部分批次）及RoHS标准，适用于汽车电子辅助系统、医疗仪器及高可靠性嵌入式系统。注意：实际应用中需合理设计散热与功率降额（高温环境下需降低功耗）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 5.6V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ5.6D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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