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  • 型号: 3EZ5.1D10E3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.1D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.1D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.1D10E3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ5.1D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ5.1D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的型号3EZ5.1D10E3/TR12是一款5.1V、3W功率的齐纳二极管(单极),采用DO-41封装,AEC-Q200认证(符合汽车级可靠性标准),具有±5%电压容差和低动态阻抗。

其典型应用场景包括:  
1. 电压基准与稳压:为传感器、ADC/DAC、微控制器等提供稳定参考电压(如5.1V基准源);  
2. 过压保护(OVP):与TVS或限流电阻配合,钳位电源线或信号线上的瞬态过压(如汽车电子中的负载突降保护);  
3. 电源稳压电路:在低功耗线性稳压器或LDO的反馈/旁路环节中,辅助实现输出电压精度与纹波抑制;  
4. 工业与汽车电子:因具备AEC-Q200认证,广泛用于车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)、仪表盘及工业PLC的电源管理单元;  
5. 浪涌吸收与ESD防护:在I/O接口端作为低成本二级防护器件,抑制重复性低能量浪涌(需配合前端TVS或保险丝)。

该器件不适用于大电流稳压或高频开关场景,但凭借高可靠性、宽工作温度范围(-65℃~+175℃)及汽车级认证,在严苛环境下的基础稳压与保护应用中表现稳健。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 5.1V 10% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ5.1D10E3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

5µA @ 1V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±10%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

5.1V

阻抗(最大值)(Zzt)

3.5 欧姆

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