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  • 型号: 3EZ47D2E3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ47D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ47D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ47D2E3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ47D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ47D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ47D2E3/TR12 是 Microsemi Corporation(现已被 Microchip Technology 收购)生产的一款单齐纳二极管,标称稳压值为47 V,额定功率为3 W(DO-41封装),具有±2%的精密容差(“D2”后缀表示该精度等级),并符合AEC-Q200汽车级可靠性标准(“E3”表示无卤素、符合RoHS的环保封装,“TR12”代表卷带包装)。

其典型应用场景包括:  
1. 电源稳压与电压基准:在中功率开关电源、DC-DC转换器或线性稳压电路中,用作47 V基准源或过压箝位元件;  
2. 浪涌/瞬态保护:配合TVS或MOV用于工业控制、通信设备的输入端口,限制异常高压(如雷击感应、开关噪声)至安全电平;  
3. 汽车电子系统:得益于AEC-Q200认证,适用于车载信息娱乐、车身控制模块(BCM)、LED车灯驱动等对可靠性和温度稳定性要求较高的场景;  
4. 测试与测量仪器:作为校准参考或限幅电路,提供稳定、低动态阻抗的47 V钳位点;  
5. 传感器接口电路:为高电压传感器(如压力、电流传感器)提供精确偏置或ESD防护。

该器件工作结温范围宽(-65°C ~ +175°C),具备良好的长期稳定性与低漏电流特性,适合在高温、高可靠性要求的工业及车载环境中长期运行。需注意设计时预留足够散热裕量,并避免持续工作在最大功耗边界。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 47V 2% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ47D2E3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 35.6V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±2%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

47V

阻抗(最大值)(Zzt)

38 欧姆

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