Datasheet下载- 型号： 3EZ43DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ43DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ43DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ43DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ43DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ43DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ43DE3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为43 V，额定功率为3 W（DO-41封装），采用TR12卷带包装，适用于自动化贴片生产。 其主要应用场景包括： 1. 电源电压钳位与过压保护：在开关电源、DC-DC转换器或工业控制电路中，用于限制敏感器件（如MCU、传感器接口）的输入电压，防止瞬态高压（如负载突卸、ESD）损坏后级电路。 2. 基准电压源：在精度要求不苛刻的模拟电路（如简单比较器、LED恒流驱动反馈环路）中提供稳定的43 V参考点。 3. 浪涌吸收与箝位电路：配合TVS或RC网络，用于通信接口（如RS-485总线终端）、电机驱动电路中的反电动势抑制。 4. 老化/测试设备中的稳压负载：在电源老化测试或电子负载模块中作为固定功耗的稳压元件。 该器件具有良好的温度稳定性（典型TC ≈ +0.07%/°C）和低动态阻抗（Zzt ≈ 75 Ω），适合中等精度、中等功率的稳压需求。需注意：实际应用中应确保平均功耗不超过3 W，并留有足够散热余量；不适用于高精度基准或低压差场景。Microsemi原厂设计强调工业级可靠性，广泛用于通信电源、工业自动化及军工相关外围保护电路中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 43V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ43DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 32.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 43V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 33 欧姆 |
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