Datasheet下载- 型号： 3EZ43D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ43D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ43D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ43D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ43D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ43D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ43D2/TR8是一款43V、1W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为ADC参考源、传感器供电或运算放大器偏置提供稳定43V基准电压，适用于对精度要求适中的工业控制板、电源监控模块。 2. 过压保护（OVP）：常与TVS或MOSFET配合，用于DC-DC转换器输出端或接口电路（如RS-485收发器供电轨），当电压异常升高至43V时导通分流，防止后级器件损坏。 3. 浪涌箝位与ESD防护辅助：在多级防护设计中作为二级箝位器件，吸收持续时间较长的瞬态能量（如雷击感应或开关噪声），弥补TVS响应速度与功率的局限。 4. 电源反馈环路：在反激式或线性稳压器中，用于光耦反馈侧的电压检测/限幅，确保反馈信号不超限，提升系统可靠性。 该器件具有±5%容差、低动态阻抗（典型值约70Ω）、良好温度稳定性（TCVz约0.07%/°C），适合-65°C~+175°C宽温工业环境。TR8表示卷带包装，便于自动化贴片生产。需注意：其1W额定功率要求合理PCB散热设计（如加大铜箔面积），且不可长期工作在最大功耗点。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 43V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ43D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 32.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 43V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 33 欧姆 |
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