Datasheet下载- 型号： 3EZ4.7D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.7D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.7D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.7D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.7D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.7D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ4.7D10E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 4.7V、500mW 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差、低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定4.7V基准电压； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，钳位微控制器I/O口、通信接口（如RS-232、CAN收发器）的瞬态电压，防止ESD或浪涌损伤； 3. 电源轨箝位：在3.3V/5V系统中用于LDO后级精密稳压或反馈环路中的电压限制； 4. 低成本线性稳压辅助：在小电流（≤10mA）场合替代三端稳压器，简化电源设计； 5. 工业与汽车电子：因符合AEC-Q200应力测试要求（TR8代表卷带包装，适用于自动化贴片），广泛用于车载信息娱乐系统、车身控制模块及工业PLC的电源监控电路。 该器件强调可靠性与一致性，适用于对成本敏感且需中等精度稳压的嵌入式应用，但不适用于大电流或高精度（<1%）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.7V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.7D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
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