图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.7D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.7D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.7D/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ4.7D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ4.7D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ4.7D/TR12 是一款额定稳压值为4.7V、功率为3W的玻璃封装齐纳二极管(单管),采用DO-41封装,卷带包装(TR12)。其典型应用场景包括: - 电压基准与稳压:在低功耗电源电路中为运算放大器、ADC/DAC或微控制器提供稳定参考电压(如4.7V基准),适用于对精度要求不苛刻但需成本优化的场合。 - 过压保护(OVP):与限流电阻配合,用作简单可靠的钳位保护器件,防止后级敏感电路(如MCU I/O口、传感器接口)遭受瞬态过压(如ESD、浪涌)损坏。 - 电平转换与信号整形:在模拟前端或逻辑接口中实现信号限幅、波形整形(如将正弦波削顶为方波近似),或构建简易稳压偏置网络。 - 低成本电源辅助电路:用于线性稳压器(如78L05)的反馈分压或启动电路中的稳压偏置;也常见于LED驱动、小家电、充电器、工业控制板等对体积和成本敏感的消费类及工业设备中。 注意:该器件为通用型齐纳管,动态阻抗相对较高(约15Ω),温度系数约+2mV/°C,不适用于高精度或宽温域场景;使用时需确保功耗不超过3W(建议留20%余量),并注意散热条件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.7V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.7D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 4.7V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 4 欧姆 |