Datasheet下载- 型号： 3EZ4.3D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.3D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.3D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.3D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.3D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.3D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ4.3D5E3/TR8是一款额定功率3W、标称稳压值4.3V、容差±5%的单齐纳二极管。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）提供稳定基准电压；适用于输入波动较小、负载电流较轻（通常<50mA）的场合。 2. 过压保护（OVP）：与限流电阻配合，用作简单可靠的箝位器件，防止后级IC（如MCU I/O口、运放输入端）因瞬态过压而损坏。 3. 电平转换与逻辑箝位：在数字接口中限制信号幅值（如将5V信号安全箝位至4.3V），兼容特定电平要求的外设。 4. 浪涌吸收与ESD防护辅助：作为低成本补充保护元件，配合TVS或压敏电阻吸收中小能量脉冲（需注意其3W峰值功率限制，不适用于大能量雷击防护）。 该器件采用DO-41封装，通孔安装，具备良好热稳定性与长期可靠性，常用于工业控制、通信模块、电源适配器及汽车电子中的辅助电源管理电路。需注意：使用时须严格匹配限流电阻以避免超过最大耗散功率，并确保散热条件满足连续工作要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.3V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.3D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 30µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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