Datasheet下载- 型号： 3EZ4.3D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.3D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.3D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.3D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.3D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.3D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ4.3D2E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下品牌）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为4.3 V，功率为3 W，采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路、传感器供电或ADC参考源中，提供稳定、低噪声的4.3 V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，用于电源输入端钳位瞬态过压，防止后级IC（如MCU、运放）损坏； 3. 电平转换与信号箝位：在数字接口（如RS-232、I²C上拉）中限制信号幅值，确保逻辑电平不超器件耐压范围； 4. 电源反馈环路：在简易线性稳压器（如78Lxx辅助电路）或开关电源次级侧取样网络中，参与输出电压设定与误差检测； 5. 工业与通信设备：适用于需高可靠性、宽温（-65°C ~ +175°C）、抗辐射（部分批次满足MIL-STD-19500）的军工、航天及基站电源模块。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性（TC ≈ ±0.07%/°C）和长期参数一致性，适合对精度与鲁棒性要求较高的嵌入式系统。注意：实际应用中需校验功耗（P = Vz × Iz），避免超过3 W额定值，并建议加限流电阻以保障可靠击穿。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.3V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.3D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 30µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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