Datasheet下载- 型号： 3EZ4.3D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.3D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.3D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.3D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.3D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.3D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ4.3D10E3/TR12是一款4.3V、500mW（标准齐纳功率）的单齐纳二极管，采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置）提供稳定4.3V基准电压；适用于输入电压波动较小、负载电流较轻（通常＜10mA）的场合。 2. 过压保护（OVP）与箝位：在电源输入端或敏感IC引脚（如MCU I/O、通信接口）前，配合限流电阻实现瞬态电压箝位，防止ESD或浪涌导致的4.3V以上过压损坏。 3. 电平转换与逻辑接口适配：用于TTL/CMOS电平匹配，例如将5V信号箝位至4.3V以兼容特定逻辑阈值要求的器件。 4. 低成本电源分压稳压：在非精密、小电流辅助电源中（如LED恒流偏置、振荡器偏置），替代线性稳压器以简化设计、降低成本。 需注意：该器件未集成温度补偿，温漂约−1.5 mV/°C（典型），不适用于高精度或宽温范围场景；最大功耗500mW，须严格计算功耗并确保散热。设计时应配合限流电阻，并验证动态响应及长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.3V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.3D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 30µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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