Datasheet下载- 型号： 3EZ4.3D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.3D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.3D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.3D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.3D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.3D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ4.3D10/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为 4.3 V，功率为 3 W（TO-204AA/DO-41 封装），容差典型为 ±5%，最大反向电流（IZT）约 76 mA。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗线性稳压电路中为基准源、误差放大器或ADC/DAC 提供稳定参考电压（如配合三端稳压器作预稳压或补偿）； 2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成过压保护电路，当输入电压超 4.3 V 时触发关断，保护后级敏感器件； 3. ESD 与瞬态抑制辅助：虽非专用TVS，但可作为低成本箝位元件，在低速信号线（如传感器接口、按键检测）中吸收小幅脉冲干扰； 4. 电源指示与偏置：用于 LED 恒流驱动中的电压设定、运算放大器偏置网络，或简易电源 OK 检测电路； 5. 工业与嵌入式系统：常见于 PLC 模块、仪器仪表、电机控制板等对成本敏感且环境温度适中（-65°C ~ +175°C 工作结温）的场景。 注意：该器件为玻璃钝化、高可靠性设计，适用于工业级应用，但不推荐用于高频开关或大浪涌场合。TR12 表示卷带包装（12,000 只/卷），适合自动化贴片生产。使用时需注意散热（PCB 铜箔面积建议 ≥ 25 mm²）及动态阻抗（Zzt ≈ 7 Ω）对精度的影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.3V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.3D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 30µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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