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  • 型号: 3EZ39D2E3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ39D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ39D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ39D2E3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ39D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ39D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)的3EZ39D2E3/TR12是一款39V、1.3W表面贴装齐纳二极管(单管),采用DO-214AC(SMA)封装,具有±2%精密容差(“D2”后缀表示2%容差)、低动态阻抗和良好温度稳定性。

其典型应用场景包括:  
1. 电压基准与稳压:为精密模拟电路(如传感器信号调理、ADC/DAC参考源、运算放大器偏置)提供稳定39V基准电压;  
2. 过压保护:与TVS或限流电阻配合,用作电源输入端的钳位器件,防止后级IC(如FPGA、微控制器供电轨)遭受瞬态过压(如ESD、浪涌)损坏;  
3. 电源反馈环路:在开关电源(如反激式适配器)的光耦反馈电路中,作为次级侧电压检测与误差放大基准点;  
4. 工业控制与通信设备:适用于需高可靠性、宽温工作(-65℃~+175℃)的场景,如PLC模块、基站电源、铁路电子系统等。  

该器件符合AEC-Q200(汽车级)应力测试要求(部分批次),亦可用于严苛环境。TR12表示卷带包装(12mm载带,每卷3000只),适合自动化贴片生产。注意:使用时需确保功耗不超过1.3W(必要时加散热设计),并避免长期工作在最大额定值边缘以保障寿命与精度。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 39V 2% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ39D2E3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 29.7V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±2%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

39V

阻抗(最大值)(Zzt)

28 欧姆

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