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产品简介:
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Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)的3EZ39D2E3/TR12是一款39V、1.3W表面贴装齐纳二极管(单管),采用DO-214AC(SMA)封装,具有±2%精密容差(“D2”后缀表示2%容差)、低动态阻抗和良好温度稳定性。 其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:为精密模拟电路(如传感器信号调理、ADC/DAC参考源、运算放大器偏置)提供稳定39V基准电压; 2. 过压保护:与TVS或限流电阻配合,用作电源输入端的钳位器件,防止后级IC(如FPGA、微控制器供电轨)遭受瞬态过压(如ESD、浪涌)损坏; 3. 电源反馈环路:在开关电源(如反激式适配器)的光耦反馈电路中,作为次级侧电压检测与误差放大基准点; 4. 工业控制与通信设备:适用于需高可靠性、宽温工作(-65℃~+175℃)的场景,如PLC模块、基站电源、铁路电子系统等。 该器件符合AEC-Q200(汽车级)应力测试要求(部分批次),亦可用于严苛环境。TR12表示卷带包装(12mm载带,每卷3000只),适合自动化贴片生产。注意:使用时需确保功耗不超过1.3W(必要时加散热设计),并避免长期工作在最大额定值边缘以保障寿命与精度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 39V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ39D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 29.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 39V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 28 欧姆 |