Datasheet下载- 型号： 3EZ39D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ39D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ39D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ39D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ39D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ39D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ39D2/TR12是一款39V、1.3W表面贴装齐纳二极管（DO-41封装，卷带包装），具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或传感器供电中，为ADC参考源、运放偏置或微控制器复位电路提供稳定39V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，用于电源输入端钳位瞬态高压（如浪涌、ESD），防止后级器件（如LDO、MCU）损坏； 3. 反馈环路控制：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈路径中，作为次级侧电压检测与误差放大基准点； 4. 电平转换与箝位：在工业接口电路（如RS-485收发器供电监测）中，将信号或电源轨限制在安全阈值内； 5. 替代传统稳压方案：在成本敏感、空间受限且无需高精度的消费类或工业辅助电源中，替代三端稳压器实现简单稳压。 注意：该器件额定功率1.3W，需确保PCB散热设计合理（如敷铜面积充足），避免长期满载温升超标；不适用于大电流稳压或高频噪声抑制场景。实际选型建议结合Microchip官方最新数据手册（DS00002276C）及热仿真验证。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 39V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ39D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 29.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 39V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 28 欧姆 |
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