Datasheet下载- 型号： 3EZ39D10/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ39D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ39D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ39D10/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ39D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ39D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ39D10/TR8是一款3.9V、1W额定功率的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或传感器供电中，为ADC参考源、运算放大器偏置或微控制器复位电路提供稳定3.9V基准电压。 2. 过压保护与箝位：用于I/O端口或信号线的ESD/瞬态抑制，将电压箝位在约3.9V（典型测试电流下），防止后级芯片（如MCU、FPGA I/O）因浪涌受损。 3. 电源调节辅助：在简单线性稳压器（如78Lxx系列）的反馈或误差检测环节中，作为精密分压/补偿元件；也适用于电池供电设备的欠压检测阈值设定（配合比较器）。 4. 工业与通信模块：常见于工业PLC接口电路、RS-485收发器保护、光模块电源监控等对成本敏感且需基础稳压功能的场景。 该器件具有±5%电压容差（3EZ39D10中“D”代表±5%）、低动态阻抗及良好温度稳定性，适合非高精度但要求可靠、成熟、易采购的通用型设计。注意其1W功率限制，需合理计算功耗并确保散热条件，不适用于大电流稳压主路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 39V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ39D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 29.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 39V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 28 欧姆 |
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